PECVD二氧化硅及氮化硅沉积
¥1,500.00技术指标 晶圆尺寸: 6英寸 可沉积材料：SiO2、Si3N4、PSG等 片内均一性（1 sigma）：≤1.5% Wafer to Wafer均一性（1 sigma）：≤1.5% 工艺温度：100℃、200℃、300℃、400℃工艺可调
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匀胶显影
¥1,500.00技术指标 涂胶工艺技术指标： 晶圆尺寸: 6英寸 匀胶片内均一性（1 sigma）：≤1.5% 匀胶Wafer to Wafer均一性（1 sigma）：≤1.5% 涂胶工艺技术指标： 晶圆尺寸: 6英寸 显影片内均一性（1 sigma）：≤5% 显影Wafer to Wafer均一性（1 sigma）：≤5%
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掺钪氮化铝AlScN磁控溅射
¥1,500.00技术指标 晶圆尺寸: 6英寸 薄膜种类：掺钪氮化铝AlScN (Sc浓度20%) 片内均一性（1 sigma）：≤0.5% Wafer to Wafer均一性（1 sigma）：≤0.5% 应力可调范围:（-500Mpa~+500Mpa） 晶向半峰全宽（FWHM）：≤1.5%
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晶圆植球
¥1,500.00技术指标 晶圆尺寸: 2, 4, 6, 8英寸晶圆及碎片 Wire Size: 20.3 um ( 0.8 mil ) ～ 50.8 um ( 2 mil ) Au Bonding Speed：50 ms.per bump Bonding Accuracy: +/- 3.5 um. @ 3 sigma
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步进式光刻系统
¥1,500.00技术指标 晶圆尺寸: 6英寸 曝光强度: 600mw/cm² 分辨率: 0.6μm 套刻精度: ±0.08μm 照明均匀性: ±2% 最大曝光面积: 17.5mmX17.5mm
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氮化铝AlN磁控溅射
¥1,500.00技术指标 晶圆尺寸: 6英寸 薄膜种类：氮化铝AlN 片内均一性（1 sigma）：≤0.5% Wafer to Wafer均一性（1 sigma）：≤0.5% 应力可调范围：（-500Mpa~+500Mpa） 晶向半峰全宽（FWHM）：≤1.5%
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湿法清洗及腐蚀
¥1,500.00技术指标 晶圆尺寸: 2, 4, 6英寸晶圆及碎片 RCA清洗：DHF+SPM+SC1+SC2 湿法去胶：NMP 氧化物湿法刻蚀: HF or BOE + SC1 前段poly/oxide去除：HF/HNO3+HF+SC1+SC2 后段金属膜层去除：SPM+HF+SC1
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热压超声倒装
¥1,500.00技术指标 晶圆尺寸: 2, 4, 6, 8英寸晶圆 精度位置: XY = ± 0.007 mm (3σ) 角度θ = ± 0.3°(3σ) 贴装压力: 50N US 头温度: 常温～200℃（程序设定温度最大300℃） 芯片尺寸: Max 3x3mm 基板尺寸: L(长度): 50～120mm W(宽度): 30～120mm
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薄膜厚度修整
¥1,500.00技术指标 晶圆尺寸: 4, 6英寸 可刻蚀材料： SiO2、Si3N4、AlN、AlScN、LiTaO3、LiTaO3、LiNbO3以及各类金属等 薄膜修正精度：<1nm； 薄膜修整速率：>3nm/min
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金属Mo磁控溅射
¥1,500.00技术指标 晶圆尺寸: 6英寸 薄膜种类：Mo 片内均一性（1 sigma）：≤0.8% Wafer to Wafer均一性（1 sigma）：≤0.5% 应力可调范围:（-500Mpa~+500Mpa） 晶向半峰全宽（FWHM）：≤2.0%
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