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金属Mo磁控溅射

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分类：前道晶圆制造

描述

描述

技术指标

晶圆尺寸: 6英寸
薄膜种类：Mo
片内均一性（1 sigma）：≤0.8%
Wafer to Wafer均一性（1 sigma）：≤0.5%
应力可调范围:（-500Mpa~+500Mpa）
晶向半峰全宽（FWHM）：≤2.0%