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前道晶圆制造
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技术指标
晶圆尺寸: 6英寸
薄膜种类:Mo
片内均一性(1 sigma):≤0.8%
Wafer to Wafer均一性(1 sigma):≤0.5%
应力可调范围:(-500Mpa~+500Mpa)
晶向半峰全宽(FWHM):≤2.0%
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