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技术指标 晶圆尺寸: 6英寸 可沉积材料：SiO2、Si3N4、PSG等 片内均一性（1 sigma）：≤1….
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技术指标 涂胶工艺技术指标： 晶圆尺寸: 6英寸 匀胶片内均一性（1 sigma）：≤1.5% 匀胶Wafer…
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技术指标 晶圆尺寸: 2, 4, 6英寸晶圆及碎片光刻 分辨率: 1.5μm 正面套刻精度: ±0.5μm 照…
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技术指标 晶圆尺寸: 6英寸 薄膜种类：掺钪氮化铝AlScN (Sc浓度20%) 片内均一性（1 sigma）…
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技术指标 晶圆尺寸: 6英寸 薄膜种类：SiO2、PSG 去除速率：2000A~3000A/min 均匀性：≤…
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技术指标 晶圆尺寸: 2, 4, 6, 8英寸晶圆及碎片 晶圆厚度: 0.1-1.5mm 定位精度：3um Z…
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技术指标 晶圆尺寸: 2, 4, 6, 8英寸晶圆及碎片 Wire Size: 20.3 um ( 0.8 m…
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技术指标 晶圆尺寸: 6英寸 曝光强度: 600mw/cm² 分辨率: 0.6μm 套刻精度: ±0.08μm…
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技术指标 晶圆尺寸: 6英寸 薄膜种类：氮化铝AlN 片内均一性（1 sigma）：≤0.5% Wafer t…
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技术指标 适用于LGA1109/1411/1511/1612/1814等各类芯片尺寸的测试分选 UPH＞30k…
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技术指标 晶圆尺寸: 2, 4, 6英寸晶圆及碎片 RCA清洗：DHF+SPM+SC1+SC2 湿法去胶：NM…
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技术指标 晶圆尺寸: 2, 4, 6, 8英寸晶圆 精度位置: XY = ± 0.007 mm (3σ) 角度…
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技术指标 晶圆尺寸: 6英寸 可刻蚀材料：Si、SiO2、Si3N4等 片内均一性：≤5% 刻蚀速率：＞350…
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技术指标 晶圆尺寸: 4, 6英寸 可刻蚀材料： SiO2、Si3N4、AlN、AlScN、LiTaO3、Li…
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技术指标 晶圆尺寸: 6英寸 薄膜种类：Mo 片内均一性（1 sigma）：≤0.8% Wafer to Wa…
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技术指标 晶圆尺寸: 6英寸 可刻蚀材料：Al、W、Mo等 片内均一性：≤5% 刻蚀速率：＞3500A/min
