PECVD二氧化硅及氮化硅沉积

¥1,500.00

Free shipping on orders over $50!

  • 复选标记 Satisfaction Guaranteed
  • 复选标记 No Hassle Refunds
  • 复选标记 Secure Payments
Category:

Description

技术指标

  • 晶圆尺寸: 6英寸
  • 可沉积材料:SiO2、Si3N4、PSG等
  • 片内均一性(1 sigma):≤1.5%
  • Wafer to Wafer均一性(1 sigma):≤1.5%
  • 工艺温度:100℃、200℃、300℃、400℃工艺可调