PECVD二氧化硅及氮化硅沉积
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Description
技术指标
- 晶圆尺寸: 6英寸
- 可沉积材料:SiO2、Si3N4、PSG等
- 片内均一性(1 sigma):≤1.5%
- Wafer to Wafer均一性(1 sigma):≤1.5%
- 工艺温度:100℃、200℃、300℃、400℃工艺可调