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前道晶圆制造
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技术指标
晶圆尺寸: 2, 4, 6英寸晶圆
蒸发金属种类:Ti、Al、Cu、Ni、Au、Cr、Pt等
片内均一性(1 sigma):≤3%
Wafer to Wafer均一性(1 sigma):≤3%
蒸发速率:0.1A/s-20A/s可调
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