硅及氧化硅等离子体刻蚀RIE

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Description

技术指标

  • 晶圆尺寸: 6英寸
  • 可刻蚀材料：Si、SiO2、Si3N4等
  • 片内均一性：≤5%
  • 刻蚀速率：＞3500A/min

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